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电子元器件

晶体管基础

晶体管基础 BJT三极管 结构 - 发射极(E) - 基极(B) - 集电极(C) 类型 - NPN型 - PNP型 工作区域 区域 条件 特点 ------ ------ ------ 截止 VBE < 0.7V IC ≈ 0 放大 VBE > 0.7V IC = β × IB 饱和 IB > IC/β VCE ≈…

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晶体管三极管MOSFET放大

晶体管基础

BJT三极管

结构

  • 发射极(E)
  • 基极(B)
  • 集电极(C)
  • 类型

  • NPN型
  • PNP型
  • 工作区域

    区域条件特点
    截止VBE < 0.7VIC ≈ 0
    放大VBE > 0.7VIC = β × IB
    饱和IB > IC/βVCE ≈ 0.2V

    电流关系

    IE = IB + IC
    IC = β × IB

    场效应管(FET)

    类型

  • JFET(结型)
  • MOSFET(绝缘栅)
  • 特点

  • 输入阻抗极高
  • 噪声低
  • 热稳定性好