电子元器件
MOSFET基础
MOSFET基础 结构 - 源极(Source, S) - 漏极(Drain, D) - 栅极(Gate, G) 类型 N沟道 - VGS > Vth 时导通 - 载流子为电子 - 导通电阻小 P沟道 - VGS < Vth 时导通 - 载流子为空穴 - 导通电阻较大 主要参数 参数 说明 ------ ------…
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MOSFET场效应管开关驱动
MOSFET基础
结构
类型
N沟道
P沟道
主要参数
| 参数 | 说明 |
|---|---|
| VDS(max) | 漏源击穿电压 |
| ID(max) | 最大漏极电流 |
| RDS(on) | 导通电阻 |
| VGS(th) | 开启电压 |
| Ciss | 输入电容 |